PENGARUH VARIASI TEMPERATUR DEPOSISI ZnO:Zr SEBAGAI SEMIKONDUKTOR PADA PROTOTYPE SEL SURYA TERSENSITISASI ZAT WARNA EKSTRAK BUAH LAMPENI (ARDISIA HUMILIS VAHL)

Hendra Asri Febrinaldi, NIM. 13630012 (2018) PENGARUH VARIASI TEMPERATUR DEPOSISI ZnO:Zr SEBAGAI SEMIKONDUKTOR PADA PROTOTYPE SEL SURYA TERSENSITISASI ZAT WARNA EKSTRAK BUAH LAMPENI (ARDISIA HUMILIS VAHL). Skripsi thesis, UIN Sunan Kalijaga.

Preview	Text (PENGARUH VARIASI TEMPERATUR DEPOSISI ZnO:Zr SEBAGAI SEMIKONDUKTOR PADA PROTOTYPE SEL SURYA TERSENSITISASI ZAT WARNA EKSTRAK BUAH LAMPENI (ARDISIA HUMILIS VAHL)) 13630012_BAB-I_V_DAFTAR-PUSTAKA.pdf - Published Version Download (3MB) | Preview
	Text (PENGARUH VARIASI TEMPERATUR DEPOSISI ZnO:Zr SEBAGAI SEMIKONDUKTOR PADA PROTOTYPE SEL SURYA TERSENSITISASI ZAT WARNA EKSTRAK BUAH LAMPENI (ARDISIA HUMILIS VAHL)) 13630012_BAB-II_sampai_SEBELUM-BAB-TERAKHIR.pdf - Published Version Restricted to Registered users only Download (3MB)

Abstract

Telah dilakukan penelitian tentang Pengaruh Variasi Temperatur Deposisi pada Semikonduktor ZnO:Zr menggunakan metode Sol-gel. Pemanasan terhadap semikonduktor ZnO:Zr dilakukan untuk mempelajari pengaruh variasi temperatur deposisi terhadap ukuran kristal, morfologi, dan serapan terhadap radiasi ultraviolet-visibel dari semikonduktor ZnO:Zr, serta menentukan nilai tegangan pada aplikasinya sebagai semikonduktor pada sistem prototype DSSC. Bahan baku prekursor berupa serbuk Zn(CH3COO)2.2H2O), kemudian dilarutkan dalam Metanol p.a dan ditambahkan doping zirkonium dari prekursor serbuk ZrOCl2.8H2O produksi Pusat Sains dan Teknologi Akselerasi Badan Tenaga Nuklir Nasional (PSTA BATAN) Yogyakarta. Material semikonduktor terdoposisi pada substrat ITO dipanaskan pada variasi temperatur 350°C, 400°C, 450°C, dan 500°C dengan menggunakan furnace dan kemudian dikarakterisasi dengan XRD, SEM, Spektrophotometer UV-VIS serta aplikasinya. Untuk mengetahui perubahan orientasi kristal terhadap temperatur menggunakan alat XRD, hasil identifikasi melalui XRD menunjukkan pola difraksi semikonduktor sesuai data JCPDS No. 80-0074 dengan 2θ = 31.73°, 34.36°, dan 36.20°, serta menunjukkan adanya meningkatan ukuran kristal. Karakteristik morfologi permukaan semikonduktor menggunakan SEM pada 350°C dan 500°C menunjukan peningkatan sebaran kristal dan kristal mengalami sintering. Pengujian serapan terhadap radiasi ultraviolet-visibel dengan Spektofotometer UV-Vis dapat diketahui bahwa semikonduktor ZnO:Zr memiliki perubahan intensitas maupun pergeseran panjang gelombang pada rentang 261 – 322 nm. Serta nilai tegangan pada aplikasi semikonduktor ZnO:Zr diperoleh Voc terbesar dengan nilai 2.8 mV pada temperatur deposisi 500°C. Kata Kunci: Zinc Oxide, Semikonduktor, Sintering. Temperatur. Deposisi.

Share this knowledge with your friends :

Actions (login required)

View Item