Yunita Endah Permatasari, NIM. 14630020 (2021) VARIASI WAKTU PERTUMBUHAN KRISTAL LAPIS TIPIS ZnO:Zr YANG DISINTESIS MENGGUNAKAN METODE HIDROTERMAL DAN APLIKASINYA SEBAGAI SEMIKONDUKTOR DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC). Skripsi thesis, UIN SUNAN KALIJAGA YOGYAKARTA.
|
Text (VARIASI WAKTU PERTUMBUHAN KRISTAL LAPIS TIPIS ZnO:Zr YANG DISINTESIS MENGGUNAKAN METODE HIDROTERMAL DAN APLIKASINYA SEBAGAI SEMIKONDUKTOR DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC))
14630020_BAB-I_IV-atau-V_DAFTAR-PUSTAKA.pdf - Published Version Download (2MB) | Preview |
|
![]() |
Text (VARIASI WAKTU PERTUMBUHAN KRISTAL LAPIS TIPIS ZnO:Zr YANG DISINTESIS MENGGUNAKAN METODE HIDROTERMAL DAN APLIKASINYA SEBAGAI SEMIKONDUKTOR DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC))
14630020_BAB-II_sampai_SEBELUM-BAB-TERAKHIR.pdf - Published Version Restricted to Registered users only Download (2MB) |
Abstract
Lapis tipis ZnO:Zr sebagai semikonduktor DSSC telah disintesis melalui metode hidrotermal dengan prekursor Zn(CH3COO)2.2H2O dan ZrOCl2.8H2O. Doping Zr pada ZnO adalah sebesar 1%. Sintesis ini menggunakan waktu pertumbuhan kristal berbeda, yaitu 30 menit, 60 menit, 90 menit, dan 120 menit. Selanjutnya dilakukan studi terhadap struktur kristal dan energi celah pita (Eg) ZnO:Zr serta uji kinerja DSSC dengan menggunakan lapis tipis ZnO:Zr hasil sintesis sebagai semikonduktor dan ekstrak daun kelor sebagai zat warna (dye). Struktur kristal ZnO:Zr dianalisis menggunakan x-ray diffraction (XRD) dengan menghitung nilai parameter kisi kristal berdasarkan puncak 2θ dari difaktogram masing-masing sampel. Energi celah pita (Eg) ZnO:Zr dianalisis menggunakan spektrofotometer UV-Visible dengan metode absorption spectrum fitting (ASF) berdasarkan absorbansi senyawa pada λ=200−800 nm. Kinerja DSSC yang menggunakan lapis tipis ZnO:Zr hasil sintesis sebagai semikonduktor diuji berdasarkan nilai tegangan yang dihasilkan. Pada peneltian ini, hasil XRD menunjukan struktur kristal heksagonal dengan nilai parameter kisi kristal heksagonal (a, c, a/c, v, dan L) menunjukan kesesuaian dengan parameter kisi kristal ZnO standar. Berdasarkan data dari karakterisasi spektrofotometer UV-Visible dengan metode absorption spectrum fitting (ASF) diketahui Eg ZnO:Zr dengan variasi waktu pertumbuhan (30, 60, 90, 120 menit) yang dihasilkan berturut-turut, adalah 2.69 eV, 3.13 eV, 3.33 eV, dan 3.24 eV. Adapun uji kinerja semikonduktor ZnO:Zr pada sistem DSSC menunjukan pada waktu pertumbuhan kristal 60 menit mampu meningkatkan tegangan sebesar 89.28 mV dan kestabilan dalam DSSC diperoleh pada waktu pertumbuhan kristal 90 menit dengan nilai tegangan sebesar 5.42 mV.
Item Type: | Thesis (Skripsi) |
---|---|
Additional Information: | Didik Krisdiyanto, S.Si., M.Sc. |
Uncontrolled Keywords: | ZnO, doping Zr, DSSC, Metode hidrotermal |
Subjects: | Kimia |
Divisions: | Fakultas Sains dan Teknologi > Kimia (S1) |
Depositing User: | Drs. Mochammad Tantowi, M.Si. |
Date Deposited: | 17 Jan 2022 13:59 |
Last Modified: | 17 Jan 2022 13:59 |
URI: | http://digilib.uin-suka.ac.id/id/eprint/48572 |
Share this knowledge with your friends :
Actions (login required)
![]() |
View Item |