IMPLANTASI ION PERAK (Ag) PADA MATERIAL SILIKON KARBIDA (SiC) DAN MORFOLOGI PERMUKAAN HASIL PROSES ANIL

Husaini Mirza Irani, NIM.: 05620010 (2010) IMPLANTASI ION PERAK (Ag) PADA MATERIAL SILIKON KARBIDA (SiC) DAN MORFOLOGI PERMUKAAN HASIL PROSES ANIL. Skripsi thesis, UIN SUNAN KALIJAGA YOGYAKARTA.

Preview	Text (IMPLANTASI ION PERAK (Ag) PADA MATERIAL SILIKON KARBIDA (SiC) DAN MORFOLOGI PERMUKAAN HASIL PROSES ANIL) BAB-I_IV-atau-V_DAFTAR-PUSTAKA.pdf - Published Version Download (1MB) | Preview
	Text (IMPLANTASI ION PERAK (Ag) PADA MATERIAL SILIKON KARBIDA (SiC) DAN MORFOLOGI PERMUKAAN HASIL PROSES ANIL) BAB-II_sampai_SEBELUM-BAB-TERAKHIR.pdf - Published Version Restricted to Registered users only Download (3MB) | Request a copy

Abstract

Telah dilakukan implantasi perak (Ag) pada material silikon karbida (SiC) dengan tujuan untuk menyelidiki pengaruh anil terhadap perubahan morfologi permukaan SiC. Proses implantasi ion Ag dilakukan dengan akselerator implantor ion 200 keV/2mA buatan PTAPB BATAN Yogyakarta. Energi implantasi dibuat konstan sebesar 100 keV dengan arus konstan sebesar 10μA dan dosis ion sebesar 1,073 x 1017 ion/cm2. Proses anil dilakukan selama 10,5 jam pada suhu 10000C. Perubahan morfologi permukaan material SiC diamati dari hasil karakterisasi material SiC menggunakan SEM, EDAX dan XRD. Dari hasil karakterisasi SEM dan EDAX diketahui adanya perubahan morfologi permukaan SiC hasil proses anil dan perubahan prosentase unsur Ag sebesar 0,48% massa menjadi 0,47% massa setelah proses anil. Sedangkan dari hasil karakterisasi XRD diketahui terjadi pergeseran puncak-puncak difraksi pada material sampel.

Share this knowledge with your friends :

Actions (login required)

View Item